场效应管（MOS管）知识点总结

一、场效应管(FET)基础知识

1.名称

场效应晶体管（Field Effect Transistor 缩写(FET)），简称场效应管。

结型场效应管（junction FET-JFET)

金属 - 氧化物半导体场效应管 （metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）

由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件。

与之对应的是由两种载流子参与导电的双极型晶体管，三极管(BJT)，属于电流控制型半导体器件。

常见如图：

2.电路符号

3.分类

4.应用场景

· 电路主电源开关，完全切断，低功耗省电。

· 大功率负载供电开关，如：电机，太阳能电池充电\放电，电动车电池充电

· 逆变器SPWM波升压部分功率电路

· 功放，音响的功率线性放大电路

· 数字电路中用于电平信号转换

· 开关电源中，高频大功率状态

· 用于LED灯的恒流驱动电路

· 汽车、电力、通信、工业控制、家用电器等

二、MOS管G、S、D区分以及电流流向

MOS管G、S、D代表什么？

G：gate 栅极S：source 源极D：drain 漏极

MOS管是金属(Metal)—氧化物—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。

三、耗尽型场效应管工作原理 (耗尽型：depletion mode)

四、NMOS与PMOS的区别

1.根本原因

· PMOS管空穴迁移率低，尺寸与电压相等的条件下，PMOS的跨导小于NMOS

· 形成空穴沟道比电子沟道更难，PMOS的阈值电压较NMOS高，因此需要更高的驱动电压，充放电时间长，开关速度便低

· 空穴移动比电子移动更难，所以PMOS导通电阻大，发热大，不易通过大电流

2.结构

3.电路接法

4.成本分析

NMOS价格便宜，厂商多，可选型号多

PMOS价格贵，厂商少，可选型号少

五、MOS管应用电路

NMOS同时用于上管和下管，专用半桥驱动芯片，电荷泵升压控制极。